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HY5V62DSF-55

更新时间： 2024-02-14 10:05:59
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 1750K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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HY5V62DSF-55 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：90Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：183 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B90
长度：13 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：90字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA90,9X15,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.26 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

HY5V62DSF-55 数据手册

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111Preliminary  
Synchronous DRAM Memory 64Mbit (2Mx32bit)  
HY5V62D(L/S)F(P) Series  
DESCRIPTION  
The Hynix HY5V62D(L/S)F(P) series is a 67,108,864bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the memory appli-  
cations which require wide data I/O and high bandwidth. HY5V62D(L/S)F(P) is organized as 4banks of 524,228 x 32.  
HY5V62D(L/S)F(P) series is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs  
and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve  
very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.  
Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write  
cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count sequence(se-  
quential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or  
can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipelined design is not re-  
stricted by a '2N' rule)  
FEATURES  
•
•
•
•
Voltage : VDD, VDDQ 3.3V supply voltage  
All device pins are compatible with LVTTL interface  
90Ball FBGA with 0.8mm of pin pitch  
•
•
•
Auto refresh and self refresh  
4096 Refresh cycles / 64ms  
Programmable Burst Length and Burst Type  
- 1, 2, 4, 8 or full page for Sequential Burst  
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst  
Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks  
Burst Read Single Write operation  
All inputs and outputs referenced to positive edge of  
system clock  
•
•
Data mask function by DQM 0, 1, 2 and DQM 3  
Internal four banks operation  
•
•
ORDERING INFORMATION  
Clock  
Part Number  
Power  
Organization  
Interface  
Package  
Frequency  
HY5V62DF(P)1-55  
HY5V62DF(P)1-6  
HY5V62DF(P)1-7  
HY5V62DLF(P)1-55  
HY5V62DLF(P)1-6  
HY5V62DLF(P)1-7  
HY5V62DSF(P)1-55  
HY5V62DSF(P)1-6  
HY5V62DSF(P)1-7  
183MHz  
166MHz  
143MHz  
183MHz  
166MHz  
143MHz  
183MHz  
166MHz  
143MHz  
Normal  
Low  
Power  
4Banks x 512Kbits x32  
LVTTL  
90 Ball FBGA  
Super Low  
Power  
Note: 1. P: 90Ball FBGA Lead Free Package.  
Rev. 0.3 / Feb. 2005  
2
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY5V62DSF-6 HYNIX Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB

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