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HY5V56DLF-P

更新时间： 2024-01-22 17:42:15

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	421K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V56DLF-P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V56DLF-P 数据手册

HY5V56D(L/S)F

CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)

-H

-8/P/S

Unit

Parameter

ball

Symbol

Min

Max

Min

Max

CLK

CI1

CI2

2.5

3.5

2.5

4.0

Input capacitance

A0 ~ A12, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,

CAS, WE, UDQM, LDQM

2.5

4.0

3.8

6.5

2.5

4.0

5.0

6.5

Data input / output

capacitance

DQ0 ~ DQ15

CI/O

OUTPUT LOAD CIRCUIT

Vtt=1.4V

RT=250 Ω

Output

50pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERISTICS I ^{(TA= 0°C to 70°C, V}DD=3.3±0.3V)

Parameter

Symbol

Min.

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

ILO

-1

2.4

VOH

VOL

IOH = -2mA

IOL = +2mA

0.4

Note :

1. VIN = 0 to 3.6V, All other balls are not tested under VIN =0V

2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6

Rev. 0.3 / July 2004

1...4 5 678 9 10...14

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与HY5V56DLF-P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V56DLFP-8	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-	获取价格
HY5V56DLFP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBG	获取价格
HY5V56DLFP-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-	获取价格
HY5V56DSF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
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