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HY5V56BF-8

更新时间： 2024-02-01 05:31:35

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	294K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V56BF-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.07 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5V56BF-8 数据手册

HY5V56B(L/S)F

BALL DESCRIPTION

BALL OUT

SYMBOL

TYPE

DESCRIPTION

CLK

INPUT

Clock : The system clock input. All other inputs are registered

to the SDRAM on the rising edge of CLK

CKE

INPUT

Clock Enable : Controls internal clock signal and when deacti-

vated, the SDRAM will be one of the states among power

down, suspend or self refresh

INPUT

Chip Select : Enables or disables all inputs except CLK, CKE,

UDQM and LDQM

G7,G8

BA0, BA1

Bank Address : Selects bank to be activated during RAS activ-

ity

Selects bank to be read/written during CAS activity

H7, H8, J8, J7, A0 ~ A12

J3, J2, H3, H2,

H1, G3, H9, G2,

INPUT

Row Address : RA0 ~ RA12, Column Address : CA0 ~ CA8

Auto-precharge flag : A10

F8, F7, F9

RAS, CAS, INPUT

Command Inputs : RAS, CAS and WE define the operation

Refer function truth table for details

F1, E8

UDQM,

LDQM

INPUT

I/O

Data Mask:Controls output buffers in read mode and masks

input data in write mode

A8, B9, B8, C9, DQ0 ~

C8, D9, D8, E9, DQ15

E1, D2, D1, C2,

Data Input/Output:Multiplexed data input/output ball

C1, B2, B1, A2

A9, E7, J9, A1, VDD/VSS

SUPPLY

Power supply for internal circuits

Power supply for output buffers

No connection

E3, J1

A7, B3, C7, D3, VDDQ/

A3, B7, C3, D7 VSSQ

E2, G1

1 234 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HY5V56BF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BF-PI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
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