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HY5V52LF-S

更新时间： 2024-02-29 10:30:01
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 332K
描述
4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM

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HY5V52LF-S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：90Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.24
风险等级：5.84访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B90
JESD-609代码：e1长度：13 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：32功能数量：1
端口数量：1端子数量：90
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA90,9X15,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.4 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：11 mm

HY5V52LF-S 数据手册

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Preliminary  
HY5V52(L)F(P) Series  
4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
oC  
Ambient Temperature  
TA  
0 ~ 70  
oC  
V
V
V
mA  
W
Storage Temperature  
TSTG  
VIN, VOUT  
VDD  
-55 ~ 125  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
50  
Voltage on Any Pin relative to VSS  
Voltage on VDD relative to VSS  
Voltage on VDDQ relative to VSS  
Short Circuit Output Current  
Power Dissipation  
VDDQ  
IOS  
PD  
1
Soldering Temperature . Time  
260 . 10  
oC . Sec  
TSOLDER  
DC OPERATING CONDITION (TA= 0 to 70oC )  
Parameter  
Power Supply Voltage  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Symbol  
VDD, VDDQ  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
Typ  
3.3  
3.3  
-
Max  
Unit  
Note  
1
1, 2  
1, 3  
3.6  
VDDQ+0.3  
0.8  
V
V
V
VIL  
-0.3  
Note :  
1. All voltages are referenced to VSS = 0V  
2. VIH(max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.  
3. VIL(min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration  
AC OPERATING TEST CONDITION (TA= 0 to 70 oC, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)  
Parameter  
AC Input High/Low Level Voltage  
Input Timing Measurement Reference Level Voltage  
Input Rise/Fall Time  
Output Timing Measurement Reference Level Voltage  
Output Load Capacitance for Access Time Measurement  
Symbol  
VIH / VIL  
Vtrip  
Value  
2.4/0.4  
1.4  
1
1.4  
Unit  
V
V
ns  
V
pF  
Note  
tR / tF  
Voutref  
CL  
50  
1
Rev. 0.1 / June. 2004  
7
1...45678910...13

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