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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TBGA, BGA60,9X12,40/32 | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.36 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5DU12822DF-D43I | HYNIX |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HY5DU12822DF-H | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| HY5DU12822DF-HI | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| HY5DU12822DF-J | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| HY5DU12822DF-K | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| HY5DU12822DF-KI | HYNIX |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HY5DU12822DFP-D43 | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
|
| HY5DU12822DFP-D43I | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| HY5DU12822DFP-H | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| HY5DU12822DFP-HI | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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