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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, BGA144,12X12,32 |
| 针数： | 144 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.81 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 350 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | S-PBGA-B144 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 144 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA144,12X12,32 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.3 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.1 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY5DS573222FP-33 | HYNIX | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
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| HY5DS573222FP-36 | HYNIX | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
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| HY5DS573222FP-4 | HYNIX | 256M(8Mx32) GDDR SDRAM |
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| HY5DS573222FP-5 | HYNIX | DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144 |
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| HY5DU113222FM-2 | HYNIX | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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| HY5DU113222FM-22 | HYNIX | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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