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HY5DS283222BFP-4

更新时间： 2024-02-07 02:19:43

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
28页	322K
描述
128M(4Mx32) GDDR SDRAM

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HY5DS283222BFP-4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.21 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.025 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.1 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

HY5DS283222BFP-4 数据手册

1HY5DS283222BF(P)

DESCRIPTION

The Hynix HY5DS283222 is a 134,217,728-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM, ideally suited for the

point-to-point applications which requires high bandwidth.

The Hynix 4Mx32 DDR SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the

clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the /CK), Data,

Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it. The data paths are inter-

nally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible

with SSTL_2.

FEATURES

•

The Hynix HY5DS283222BF(P) guarantee until

166MHz speed at DLL_off condition

rising and falling edges of the data strobe

•

All addresses and control inputs except Data, Data

strobes and Data masks latched on the rising edges

of the clock

1.8V VDD and VDDQ wide range max power supply

supports

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

•

Write mask byte controls by DM (DM0 ~ DM3)

Programmable /CAS Latency 5 / 4 supported

•

12mm x 12mm, 144ball FBGA with 0.8mm pin pitch

Fully differential clock inputs (CK, /CK) operation

Double data rate interface

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Internal 4 bank operations with single pulsed /RAS

tRAS Lock-Out function supported

Source synchronous - data transaction aligned to

bidirectional data strobe (DQS0 ~ DQS3)

Auto refresh and self refresh supported

4096 refresh cycles / 32ms

•

Data outputs on DQS edges when read (edged DQ)

Data inputs on DQS centers when write (centered

DQ)

Half strength and Matched Impedance driver option

controlled by EMRS

Data(DQ) and Write masks(DM) latched on the both

ORDERING INFORMATION

Power

Supply

Clock

Frequency

Part No.

Max Data Rate

interface

Package

HY5DS283222BF(P)-28

HY5DS283222BF(P)-33

HY5DS283222BF(P)-36

HY5DS283222BF(P)-4

350MHz

300MHz

275MHz

250MHz

700Mbps/pin

600Mbps/pin

550Mbps/pin

500Mbps/pin

12mm x 12mm

144Ball FBGA

VDD/VDDQ

1.8V

SSTL_2

Note) Hynix supports Lead free parts for each speed grade with same specification, except Lead free materials.

We'll add "P" character after "F" for lead free product.

For example, the part number of 300Mhz Lead free product is HY5DS283222BFP-33.

Rev. 1.0 / Feb. 2005

1 234 5 6 7...28

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与HY5DS283222BFP-4相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5DS283222BFP-5	HYNIX	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-144	获取价格
HY5DS573222F	HYNIX	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	获取价格
HY5DS573222F-28	HYNIX	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	获取价格
HY5DS573222F-33	HYNIX	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	获取价格
HY5DS573222F-36	HYNIX	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	获取价格
HY5DS573222F-4	HYNIX	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	获取价格

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4

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