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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V281620FTP-6 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE |
|
| HY57V281620FTP-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE |
|
| HY57V281620HCLT | ETC |
获取价格 |
8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
|
| HY57V281620HCLT-5 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
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| HY57V281620HCLT-6 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY57V281620HCLT-6I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY57V281620HCLT-7 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY57V281620HCLT-7I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
|
| HY57V281620HCLT-8 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY57V281620HCLT-8I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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