是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 5.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
端子数量: | 54 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V281620FTP-6 | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE | |
HY57V281620FTP-H | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE | |
HY57V281620HCLT | ETC |
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8Mx16|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M | |
HY57V281620HCLT-5 | ETC |
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x16 SDRAM | |
HY57V281620HCLT-6 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | |
HY57V281620HCLT-6I | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | |
HY57V281620HCLT-7 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | |
HY57V281620HCLT-7I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | |
HY57V281620HCLT-8 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | |
HY57V281620HCLT-8I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |