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HY57V281620AT-S

更新时间： 2024-01-22 17:49:34

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
13页	97K
描述
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620AT-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.238 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V281620AT-S 数据手册

HY57V281620A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Ambient Temperature

0 ~ 70

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

°C

Storage Temperature

TSTG

°C

Voltage on Any Pin relative to VSS

Voltage on VDD relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

IOS

Soldering Temperature × Time

TSOLDER

260 × 10

°C × Sec

Note : Operation at above absolute maximum rating can adversely affect device reliability.

DC OPERATING CONDITION (TA=0 to 70°C)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Note

Power Supply Voltage

Input High voltage

Input Low voltage

VDD, VDDQ

VIH

3.0

2.0

3.3

3.0

3.6

VDDQ + 0.3

0.8

1,2

1,3

VIL

-0.3

Note :

1.All voltages are referenced to VSS = 0V

2.VIH(max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.

3.VIL(min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration.

AC OPERATING TEST CONDITION(TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Note

AC Input High / Low Level Voltage

VIH / VIL

Vtrip

2.4/0.4

1.4

Input Timing Measurement Reference Level Voltage

Input Rise / Fall Time

tR / tF

Voutref

Output Timing Measurement Reference Level Voltage

Output Load Capacitance for Access Time Measurement

1.4

Note :

1.Output load to measure access times is equivalent to two TTL gates and one capacitor (50pF). For details, refer to AC/DC output

load circuit

Rev. 1.3/Aug. 01

1 2 345 6 7...13

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与HY57V281620AT-S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V281620AT-SI	HYNIX	4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY57V281620BLT	ETC	8Mx16\|3.3V\|4K\|6/K/H/8/P/S\|SDR SDRAM - 128M	获取价格
HY57V281620BLT-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BLT-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BLT-K	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BLT-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格

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