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HY57V281620ALT-S

更新时间： 2024-01-18 14:10:53

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海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	97K
描述
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620ALT-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.238 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V281620ALT-S 数据手册

HY57V281620A

CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)

-6/7/K/H

-8/P/S

Unit

Parameter

Symbol

Min

Max

Min

Max

Input capacitance

CLK

CI1

CI2

2.5

3.5

3.8

2.5

4.0

5.0

A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,

WE, UDQM, LDQM

Data input / output capacitance

DQ0 ~ DQ15

CI/O

4.0

6.5

4.0

6.5

OUTPUT LOAD CIRCUIT

Vtt=1.4V

RT=250 W

Output

50pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERISTICS I(TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)

Parameter

Symbol

Min.

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

-1

ILO

VOH

VOL

2.4

IOH = -4mA

IOL = +4mA

0.4

Note :

1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V IN =0V

2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6

Rev. 1.3/Aug. 01

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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