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HY51V65804LTC-70

更新时间： 2024-02-07 10:58:04

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	476K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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HY51V65804LTC-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.155 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65804RC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65804RC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65804SLJC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HY51V65804SLTC60	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HY51V65804SLTC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65804SLTC70	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HY51V65804SLTC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65804TC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65804TC60	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HY51V65804TC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32