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HY51V64404TC-60

更新时间： 2024-01-11 17:37:22

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	448K
描述
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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HY51V64404TC-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
针数：	50	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY51V64404TC70	ETC	x4 EDO Page Mode DRAM	获取价格
HY51V64404TC-70	HYNIX	EDO DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
HY51V64800AJC-60	HYNIX	Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
HY51V64800ALJC-50	HYNIX	Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
HY51V64800ALJC-60	HYNIX	Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
HY51V64800ALTC-60	HYNIX	Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	获取价格