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HY514400AT-60

更新时间： 2024-02-09 12:26:52

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	334K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

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HY514400AT-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSSOP20/26,.36
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.43	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY514400AT70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514400AT-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
HY514400B	ETC	获取价格	1Mx4, Fast Page mode
HY514400BJ	ETC	获取价格	1Mx4, Fast Page mode
HY514400BJ-50	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514400BJ-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514400BJ-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514400BLJ	ETC	获取价格	1Mx4, Fast Page mode
HY514400BLJ-50	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514400BLJ-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM