5秒后页面跳转
HY1300C000J0G PDF预览

HY1300C000J0G

更新时间: 2024-09-30 20:04:55
品牌 Logo 应用领域
安费诺 - AMPHENOL 端子和端子排
页数 文件大小 规格书
1页 256K
描述
Barrier Strip Terminal Block

HY1300C000J0G 数据手册

  
HY xx 00 x 000J0 G  
c
us  
PDS: Rev :A  
STATUS:Released  
Printed: Jul 22, 2014  

与HY1300C000J0G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY1303C HUAYI

获取价格

此器件为 N 沟道、30V耐压、4.2mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用T
HY1306D HUAYI

获取价格

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY1306U HUAYI

获取价格

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY1306V HUAYI

获取价格

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY1310D HUAYI

获取价格

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY1310U HUAYI

获取价格

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY1310V HUAYI

获取价格

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY13N50FT HY

获取价格

500V / 13A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY13N50T HY

获取价格

500V / 13A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY13P HYCON

获取价格

Quality Approval Sheet