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HVM25TL

更新时间: 2024-01-24 15:22:24
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日立 - HITACHI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
Variable Capacitance Diode, 16V, Silicon

HVM25TL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
最小击穿电压:16 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比:2.5二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最小质量因数:60
最大反向电流:0.05 µA反向测试电压:10 V
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HVM25TL 数据手册

  

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