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HVM306

更新时间： 2024-01-21 13:16:03

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HVM306 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
最小击穿电压：	30 V	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比：	10	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HVM306 数据手册

HVM306

Silicon Epitaxial Planar Diode for

Lowpass Circuit

Preliminary

Rev. 1

Jun. 1992

Features

Pin Arrangement

• High capacitance ratio. (n=10min)

• Low series resistance.

• Low cost.

• MPAK package is suitable for high density

surface mounting and high speed assembly.

(Top View)

Ordering Information

1 Anode

2 Anode

3 Cathode

Type No.

Laser Mark

Package Code

HVM306

T 9

MPAK

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

Junction temperature

Storage temperature

125

°C

-55 to +125

stg

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

—

= 30 V

R(1)

Reverse current

—

100

= 30 V, Ta= 60 °C

= 2 V, f = 1 MHz

R(2)

29.4

34.3

Capacitance

2.67

10.0

—

3.02

—

C /C

= 25 V, f = 1 MHz

Capacitance ratio

Series resistance

—

2 25

—

0.75

Ω

C = 9 pF, f = 470MHz

OUT

V_T

Lowpass Circuit

12 3

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