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HTZ250G39K

更新时间： 2024-09-22 14:51:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网高压二极管
页数	文件大小	规格书
2页	133K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 2.7A, 39200V V(RRM), Silicon, ZG, 3 PIN

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HTZ250G39K 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-XUFM-X3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	应用：	HIGH VOLTAGE
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	2.7 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	39200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HTZ250G39K 数据手册

LARONTROL

HTZ250G Series

I_F(AV)= 2.7 A

V_RRM= 44800 V

High Voltage

Diode Rectifier

Module

Electronic Devices

Minimum

Avalanche

Voltage

V_(BR)R

Repetitive

Peak

Type

Number

HTZ250G44K

HTZ250G39K

HTZ250G33K

HTZ250G28K

44800

39200

33600

28000

47600

42000

36400

30800

CIRCUIT DIAGRAM

-V_RRM-

Centre Tap

CURRENT RATINGS - AIR COOLED

I_F(AV)

Mean forward current

Half wave resistive load T_amb= 35ºC

T_amb= 35ºC

2.7

3.3

I_F

Continuous (direct) forward current

Thermal resistance junction to ambient

R_th(j-a)

1.8 ºC/W

CURRENT RATINGS - OIL COOLED

I_F(AV)

Mean forward current

Half wave resistive load T_oil= 60ºC

T_oil= 60ºC

3.5

4.3

I_T

Continuous (direct) forward current

Thermal resistance junction to oil

R_th(j-o)

0.97 ºC/W

SURGE RATINGS

I²t

I²t for fusing

Surge (non-repetitive) forward current

10 ms half sine T_vj= 150ºC

T_vj= 150ºC

200 A²sec

I_FSM

200

TEMPERATURE AND FREQUENCY RATINGS

T_vj

Virtual junction temperature

Forward (conducting)

Reverse (blocking)

180

ºC

T_stg

Storage temperature range

Frequency range

-40 to 100

20 to 400

CHARACTERISTICS T_case= 25ºC unless otherwise stated

V_FM

I_RM

Forward voltage

At 12 Amps peak

max 32

Peak reverse current

At V_RRM; T_case= 150°C

max 0.5 mA

5.1 DIA CLEAR

Dimensioned Outlines

287

280

Dimensions shown are maximum in mm

140

19.5

Weight typ.: 2,0 Kg

19.5

M5 TAPPED 3 OFF

6.8 DIA CLEAR

Issue 1 June 1998

306

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

Distributed by

EUROPE

USA

IXYS Semiconductor GmbH

Lampertheim Germany

Phone: +49.6206.503.0

Fax: +49.6206.503.627

3540 Bassett Street

Santa Clara, CA 95054

Phone: (408) 982-0700

FAX: (408) 496-0670

www.IXYS.net

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HTZ250G44K	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 2.7A, 44800V V(RRM), Silicon, ZG, 3 PIN
HTZ260G14K	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4.7A, 14000V V(RRM), Silicon, ZG, 3 PIN
HTZ260G14K	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4.7A, 14000V V(RRM), Silicon, ZG, 3 PIN
HTZ260G16K	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4.7A, 16000V V(RRM), Silicon, ZG, 3 PIN
HTZ260G16K	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4.7A, 16000V V(RRM), Silicon, ZG, 3 PIN
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