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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HSWA2-30DR+TB
HSWA2-30DR+TB PDF预览

HSWA2-30DR+TB

更新时间： 2024-01-31 12:51:14
品牌 Logo 应用领域
MINI 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 615K
描述
SPDT RF SWITCH

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HSWA2-30DR+TB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
JESD-609代码：e3端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HSWA2-30DR+TB 数据手册

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SPDT RF SWITCH  
RF Electrical Specifications, DC-3000 MHz, TAMB=25°C, VDD=+3V  
Parameter  
HSWA2-30DR+  
Condition  
Min.  
(note 4)  
Typ.  
Max.  
Units  
DC  
3000  
MHz  
Operating Frequency  
1 GHz  
2 GHz  
3 GHz  
0.75  
0.95  
1.2  
1.0  
1.2  
1.4  
(note 1)  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
1 GHz  
2 GHz  
3 GHz  
55  
46  
40  
64  
50  
44  
Isolation between Common port and RF1/RF2 ports  
Isolation between RF1 and RF2 ports  
Return Loss @ Common port  
1 GHz  
2 GHz  
3 GHz  
57  
54  
40  
63  
60  
48  
1 GHz  
2 GHz  
3 GHz  
20  
17  
14  
1 GHz  
2 GHz  
3 GHz  
20  
18  
17  
Return Loss @ RF1/RF2 ports  
Input IP2  
5 MHz - 1000 MHz  
+80  
dBm  
dBm  
10 MHz - 1000MHz  
1000MHz - 3000MHz  
+55  
+52  
(note 2)  
Input IP3  
(note 2,3)  
1000 MHz  
+29  
+31  
dBm  
Input 1dB Compression  
Notes:  
1. I.LOSS values are de-embedded from test board Loss.  
2. Device linearity degrades below 1 MHz.  
3. Note absolute maximum ratings for input power.  
4. Lowest Freq. determined by value of coupling capacitors at RF ports.  
DC Electrical Specifications  
Parameter  
Min.  
2.7  
Typ.  
3
Max.  
3.3  
Units  
(note 5)  
V
DD, Supply Voltage  
V
μA  
V
(note 6)  
Supply Current (VDD = 3V)  
Control Voltage Low  
—
8
20  
0
—
—
0.3xVDD  
Control Voltage High  
0.7xVDD  
VDD  
V
Note 5: See application note AN-80-006 for +5V supply voltage.  
Note 6: At Control Frequency of 1 kHz. Increases to 21 μA at 10 kHz and 56 μA at 50 kHz typically.  
Switching Specifications  
Parameter  
Min.  
—
Typ.  
2.0  
—
Max.  
—
Units  
Switching Time, 50% CTRL to 90/10% RF  
μ
Sec  
(note 7)  
mVp-p  
Video Feedthrough, 5 MHz - 1000 MHz  
—
15  
Note 7: Measured with a 1 nSec risetime,0/3V pulse and 500 MHz bandwidth.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Ratings  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
-40°C to 85°C  
-65°C to 150°C  
VDD, Supply Voltage  
-0.3V Min., 4V Max.  
Voltage control  
-0.3V Min., VDD + 0.3V Max.  
250V to < 500V (CLASS 1A)  
50V (CLASS M1)  
ESD, HBM (ANSI/ESD STM 5.1 - 2001)  
ESD, MM (ANSI/ESD STM 5.2 - 1999)  
(note 8)  
RF input power:  
When the common port is connected to the RF port (RF1 or RF2)  
When the RF port (RF1 or RF2) is not connected to the common port  
When the common port is not connected to either RF1 or RF2  
+33dBm  
+24dBm  
+24dBm  
Note 8: See Truth Table on page 3.  
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