是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 8.33 | Is Samacsys: | N |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容: | 1 pF |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | MIXER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.34 V | 频带: | C BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBD101LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Schottky Barrier Diodes | |
MMBD452LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | |
BAV74LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Monolithic Dual Switching Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HSMS-2824-TR1 | AGILENT |
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Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2824-TR1 | AVAGO |
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SILICON, MIXER DIODE | |
HSMS-2824-TR1G | AGILENT |
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Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2824-TR1G | AVAGO |
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Surface Mount RF Schottky Barrier | |
HSMS-2824-TR2 | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2824-TR2G | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2824-TR2G | AVAGO |
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Surface Mount RF Schottky Barrier | |
HSMS2825 | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SO | |
HSMS-2825 | AGILENT |
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Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2825 | AVAGO |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier |