是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 7.75 | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容: | 1 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | MIXER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.34 V |
频带: | C BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBD101LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Schottky Barrier Diodes | |
MMBD452LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | |
BAV74LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Monolithic Dual Switching Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HSMS-2824-TR2 | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2824-TR2G | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2824-TR2G | AVAGO |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier | |
HSMS2825 | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SO | |
HSMS-2825 | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2825 | AVAGO |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier | |
HSMS-2825-BLK | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2825-BLK | AVAGO |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE | |
HSMS-2825-BLKG | AGILENT |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes | |
HSMS-2825-BLKG | AVAGO |
获取价格 |
Surface Mount RF Schottky Barrier |