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HSMBJ5925

更新时间： 2024-01-07 15:21:10

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描述
Transient Voltage Suppressor

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HSMBJ5925 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	3 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	37.5 mA	Base Number Matches：	1

HSMBJ5925 数据手册

HSMBJ5913 thru HSMBJ5936

Transient Voltage Suppressor

Breakdown Voltage 3.3 to 30 Volts

Features

CASE: SMB (DO214AA)



Extensive Voltages selection from 3.3 to 30V

Silicon 3.0 Watt Zener Diodes

Ideal for high-density and low-profile mounting

Regulates voltage over a broad operating current

and temperature range



Flexible axial-lead mounting terminals

High specified maximum current(I_ZM) when

adequately heat sinking

Application



Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching and

lighting on IC_S, MOSFE, signal lines of sensor units

for consumer, computer, industrial, automotive and

telecommunication

Mechanical Data



Case: Void-free transfer molded thermosetting epoxy

body meeting UL94V-O



Terminals: Tin-Lead or ROHS Compliant annealed

matte-Tin plating readily solderable per MIL-STD-750,

Method 2026



Marking: Body marked with part number

Polarity: Cathode indicated by band

Weight: 0.093g（Approximately）

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ 25^OC unless otherwise specified

Conditions

Symbol

Value

Unit

Steady state power at T_L≤ 105℃ 0.375”(10mm) from body

3.0

P_M(AV)

Steady state power at T_A=25℃ when mounted on FR4 PC described for

thermal resistance (also see Fig.1)

1.56

V_F

R_θJL

Maximum instantaneous forward voltage at 200mA

Thermal resistance junction to lead

1.2

℃/W

℃

R_θJA

Thermal resistance junction to ambient

Operating and Storage Temperature

T_J,T_STG

-65 to +150

Document Number: HSMBJ5913 thru HSMBJ5936

Feb.29, 2012

www.smsemi.com

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与HSMBJ5925相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HSMBJ5925AE3TR	MICROSEMI	Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 1.56W, Silicon, Unidirectional, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
HSMBJ5925B	MICROSEMI	SILICON 3.0W ZENER DIOCE	获取价格
HSMBJ5925BE3	MICROSEMI	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.56W, Silicon, Unidirectional, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLAST	获取价格
HSMBJ5925BE3TR	MICROSEMI	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.56W, Silicon, Unidirectional, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLAST	获取价格
HSMBJ5925BTR	MICROSEMI	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.56W, Silicon, Unidirectional, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
HSMBJ5925BTRE3	MICROSEMI	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 3W,	获取价格