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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-213AB | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-213AB | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 80 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM180G | MICROSEMI |
获取价格 |
1 Amp Schottky Rectifier |
|
| HSM180G/TR13 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, S |
|
| HSM180GE3/TR13 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, S |
|
| HSM180J | MICROSEMI |
获取价格 |
1 Amp Schottky Rectifier |
|
| HSM180JE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, P |
|
| HSM180MELF | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN |
|
| HSM18DRAH | ETC |
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CONN EDGE DUAL FMALE 36POS 0.156 |
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| HSM18DRAI | ETC |
获取价格 |
CONN EDGE DUAL FMALE 36POS 0.156 |
|
| HSM18DRAN | ETC |
获取价格 |
CONN EDGE DUAL FMALE 36POS 0.156 |
|
| HSM18DRAS | ETC |
获取价格 |
CONN EDGE DUAL FMALE 36POS 0.156 |
|
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