HSM107S

更新时间： 2024-01-27 00:42:14

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瑞萨 - RENESAS		瞬态抑制器肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

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HSM107S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.61
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HSM107S

Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

REJ03G0173-0700Z

(Previous: ADE-208-058F)

Rev.7.00

Jan.28.2004

Features

•

Low V_Fand high efficiency.

HSM107S which is interconnected in series configuration is designed for protection from not only

external excessive voltage but also miss-operation on electric systems.

•

MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HSM107S

MPAK

Pin Arrangement

1. Cathode 2

2. Anode 1

3. Cathode 1

Anode 2

(Top View)

Rev.7.00, Jan.28.2004, page 1 of 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HSM107S-E	RENESAS	暂无描述	获取价格
HSM107STL	HITACHI	暂无描述	获取价格
HSM107STL-E	RENESAS	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	获取价格
HSM107STR	HITACHI	暂无描述	获取价格
HSM107STR	RENESAS	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	获取价格
HSM107STR-E	RENESAS	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	获取价格