HSM107

更新时间： 2024-02-19 11:45:07

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日立 - HITACHI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	33K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

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HSM107 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.61
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HSM107S

Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

ADE-208-058F(Z)

Rev 6

Sep. 1998

Features

•

Low V_Fand high efficiency.

HSM107S which is interconnected in series configuration is designed for protection from not only

external excessive voltage but also miss-operation on electric systems.

•

MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HSM107S

MPAK

Outline

(Top View)

Cathode 2

Anode 1

Cathode 1

Anode 2

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HSM107S	HITACHI	Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection	获取价格
HSM107S	KEXIN	Silicon Schottky Barrier Diode	获取价格
HSM107S	RENESAS	Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection	获取价格
HSM107S	TYSEMI	MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.	获取价格
HSM107S-E	RENESAS	暂无描述	获取价格
HSM107STL	HITACHI	暂无描述	获取价格