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HS2N60IA

更新时间： 2024-09-21 12:19:47
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描述
N channel 600v MOSFET

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HS2N60IA  
N channel 600V MOSFET  
1. Description  
The HS2N60IA N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is  
designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching  
regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers.  
2. Feature  
● RDS(ON)≦4.4Ω@VGS=10V  
● Low gate charge ( typical 9.0nC)  
● Fast switching capability  
● Avalanche energy specified  
● Improved dv/dt capability  
VDS  
RDS(on)  
ID  
600  
4.4  
2
V
Ω
A
3. Pin configuration  
Order Number  
HS2N60IA  
Package  
TO-251  
Oct,2012-Ver1.0  
1/5  
12345

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