5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALF PACK-1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.7 V | JESD-30 代码： | S-XUFM-X1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2500 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 180 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HS18140R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 180A, 40V V(RRM), Silicon, HALF PACK-1 |
|
| HS18145 | MICROSEMI |
获取价格 |
180 Amp Schottky OR,ing Rectifier |
|
| HS18145R | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HS1-81C55RH | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
|
| HS1-81C55RH/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
22 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, CDIP40, SIDE BRAZED, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-40 |
|
| HS1-81C55RH-8 | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
|
| HS1-81C55RH-Q | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
|
| HS1-81C56RH | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
|
| HS1-81C56RH/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
22 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, CDIP40, SIDE BRAZED, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-40 |
|
| HS1-81C56RH-8 | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
