5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HQ1A4A-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| HQ1C2N | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
| HQ1C2N-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
| HQ1C2N-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
| HQ1F2Q | NEC |
获取价格 |
COMPOUND TRANSISTOR |
|
| HQ1F2Q-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| HQ1F2Q-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| HQ1F2Q-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
| HQ1F2Q-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| HQ1F2Q-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
