HN58X2464TIE

更新时间： 2024-01-23 16:19:29

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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22页	160K
描述
Two-wire serial interface 8k EEPROM (1-kword × 8-bit)/16k EEPROM (2-kword × 8-bit) 32k EEPROM (4-kword × 8-bit)/64k EEPROM (8-kword × 8-bit)

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HN58X2464TIE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.4 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000003 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	HARDWARE

HN58X2464TIE 数据手册

HN58X2408I/HN58X2416I

HN58X2432I/HN58X2464I

Two-wire serial interface

8k EEPROM (1-kword × 8-bit)/16k EEPROM (2-kword × 8-bit)

32k EEPROM (4-kword × 8-bit)/64k EEPROM (8-kword × 8-bit)

REJ03C0131-0500

Rev. 5.00

Jan.14.2005

Description

HN58X24xxI series are two-wire serial interface EEPROM (Electrically Erasable and Programmable

ROM). They realize high speed, low power consumption and a high level of reliability by employing

advanced MNOS memory technology and CMOS process and low voltage circuitry technology. They also

have a 32-byte page programming function to make their write operation faster.

Note: Renesas Technology’s serial EEPROM are authorized for using consumer applications such as

cellular phone, camcorders, audio equipment. Therefore, please contact Renesas Technology’s

sales office before using industrial applications such as automotive systems, embedded controllers,

and meters.

Features

•

Single supply: 1.8 V to 5.5 V

Two-wire serial interface (I²C^TMserial bus*¹)

Clock frequency: 400 kHz

Power dissipation:

 Standby: 3 µA (max)

 Active (Read): 1 mA (max)

 Active (Write): 3 mA (max)

Automatic page write: 32-byte/page

Write cycle time: 10 ms (2.7 V to 5.5 V)/15ms (1.8 V to 2.7 V)

Endurance: 10⁵Cycles (Page write mode)

Data retention: 10 Years

•

Rev.5.00, Jan.14.2005, page 1 of 20

12 3 4 5 6 7...22

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与HN58X2464TIE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HN58X2464T-SR	HITACHI	Two-wire serial interface 2k / 4k / 8k / 16k / 32k / 64k EEPROM	获取价格
HN58X2502FPIAG	RENESAS	Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory	获取价格
HN58X2502FPIE	RENESAS	Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory	获取价格
HN58X2502I	RENESAS	Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory	获取价格
HN58X2502IAG	RENESAS	Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory	获取价格
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