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HMU-65764M-9:RD

更新时间: 2024-09-24 20:51:43
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDSO28,

HMU-65764M-9:RD 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HMU-65764M-9:RD 数据手册

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