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HMS24N50T

更新时间： 2022-02-26 11:32:59

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华之美 - HMSEMI		/
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500V N-Channel MOSFET

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Typical Performance Characteristics

Typ. transfer characteristics

Typ. gate charge

I_D=f(V_GS); V_DS=20V

V_GS=f(Q_g), I_D=12A pulsed

Avalanche energy

Drain‐source breakdown voltage

T_j[℃]

E_AS=f(T_j); I_D=3.5 A; V_DD=50 V

V_BR(DSS)=f(T_j); I_D=0.25 mA

1...3 4 567 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HMS25632J2-15	HANBIT	SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit), 5V, 68-Pin JLCC Design	获取价格
HMS25632J2-55	HANBIT	SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit), 5V, 68-Pin JLCC Design	获取价格
HMS25632J2V	HANBIT	SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit) 3.3V, 68-Pin JLCC Packaging	获取价格

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