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HMC930

更新时间： 2024-01-28 02:45:22

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
10页	915K
描述
HMC930

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技术参数
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HMC930 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	针数：	0
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.27
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	10 dB	最大输入功率 (CW)：	22 dBm
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	最大电压驻波比：	7
Base Number Matches：	1

HMC930 数据手册

HMC930

v00.0610

GaAs pHEMT MMIC

0.25 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 40 GHz

Second Harmonics vs. Temperature @ Pout =

14 dBm, Vdd = 10V & Vgg = 3.5V, 175mA

Second Harmonics vs.

Vdd @ Pout = 14 dBm, Idd = 175mA ^[1]

+8V

+10V

+11V

+25C

+85C

-40C

FREQUENCY(GHz)

Second Harmonics vs. Pout

Vdd = 10V & Vgg = 3.5V & Idd = 175mA

+4 dBm

+6 dBm

+8 dBm

+10 dBm

+12 dBm

+14 dBm

FREQUENCY(GHz)

Absolute Maximum Ratings

Dꢅaꢂꢊ Bꢂaꢃ Vꢆꢉtagꢁ (Vdd)

12V

outꢄut pꢆꢇꢁꢅ ꢂꢊtꢆ Vswr >7:1

stꢆꢅagꢁ Tꢁꢈꢄꢁꢅatuꢅꢁ

24 dBꢈ

-65 tꢆ 150 °C

-55 tꢆ 85 °C

Gatꢁ Bꢂaꢃ Vꢆꢉtagꢁ (Vgg1)

-3 tꢆ 0 Vdc

oꢄꢁꢅatꢂꢊg Tꢁꢈꢄꢁꢅatuꢅꢁ

fꢆꢅ Vdd = 12V, Vgg2 = 5.5V

idd >145ꢈA

fꢆꢅ Vdd bꢁtꢇꢁꢁꢊ 8.5V tꢆ 11V,

Vgg2 = (Vdd - 6.5V) uꢄ tꢆ 4.5V

Gatꢁ Bꢂaꢃ Vꢆꢉtagꢁ (Vgg2)

eleCTrosTATiC sensiTiVe DeViCe

oBserVe hAnDlinG preCAUTions

fꢆꢅ Vdd < 8.5V,

Vgg2 ꢈuꢃt ꢅꢁꢈaꢂꢊ > 2V

rf iꢊꢄut pꢆꢇꢁꢅ (rfin)

Cꢀaꢊꢊꢁꢉ Tꢁꢈꢄꢁꢅatuꢅꢁ

17 dBꢈ

150 °C

Typical Supply Current vs. Vdd

Vdd (V)

idd (ꢈA)

Cꢆꢊtꢂꢊuꢆuꢃ pdꢂꢃꢃ (T= 85 °C)

(dꢁꢅatꢁ 69 ꢈw/°C abꢆvꢁ 85 °C)

2.1 w

175

+10

175

Tꢀꢁꢅꢈaꢉ rꢁꢃꢂꢃtaꢊcꢁ

(cꢀaꢊꢊꢁꢉ tꢆ dꢂꢁ bꢆttꢆꢈ)

31.1 °C/w

+11

175

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

3 - 6

1...3 4 567 8 9 10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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