是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | HVQCCN, |
针数: | 40 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 1.79 | JESD-30 代码: | S-PQCC-N40 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 6 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HVQCCN | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 0.9 mm | 标称供电电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 电信集成电路类型: | RF AND BASEBAND CIRCUIT |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC832LP6GETR | HITTITE |
类似代替 |
PLL/Frequency Synthesis Circuit, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC832LP6GETR | ADI |
获取价格 |
Wideband PLL+VCO (3.3V), 25 - 3000 MHz | |
HMC832LP6GETR | HITTITE |
获取价格 |
PLL/Frequency Synthesis Circuit, | |
HMC833LP6GE | HITTITE |
获取价格 |
Built in Digital Self Test | |
HMC833LP6GE | ADI |
获取价格 |
Fractional-N PLL with Integrated VCO, 25 - 6000 MHz | |
HMC833LP6GETR | ADI |
获取价格 |
Fractional-N PLL with Integrated VCO, 25 - 6000 MHz | |
HMC8342 | ADI |
获取价格 |
GaAs MMIC Ã2 Active Frequency Multiplier, 22 | |
HMC8342LS6 | ADI |
获取价格 |
GaAs MMIC Ã2 Active Frequency Multiplier, 22 | |
HMC8342LS6TR | ADI |
获取价格 |
GaAs MMIC Ã2 Active Frequency Multiplier, 22 | |
HMC834LP6GE | HITTITE |
获取价格 |
Fractional-N PLL with Integrated VCO | |
HMC8362 | ADI |
获取价格 |
11.90 GHz to 18.30 GHz Quadband VCO |