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HMC669LP3RTR

更新时间： 2024-01-07 03:28:44

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亚德诺 - ADI		放大器
页数	文件大小	规格书
10页	346K
描述
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC

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HMC669LP3RTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	电源：	3/5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	105 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC669LP3RTR 数据手册

HMC669LP3 / 669LP3E

v02.0808

GaAs PHEMT MMIC LNA w/

FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz

LNA - Gain vs. Temperature ^[1]

LNA - Broadband Gain & Return Loss

S21

Vdd=5V

Vdd=3V

-5

S22

-10

+25C

+85C

-40C

-15

S11

-20

-25

-30

0.8

1.2 1.4 1.6 1.8

2.2 2.4 2.6 2.8

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

FREQUENCY (GHz)

LNA - Return Loss vs. Temperature ^[1]

LNA - Gain vs. Temperature ^[2]

+25C

+85C

-40C

-5

Input Return Loss

-10

-15

Output Return Loss

-20

+25C

+85C

-25

-40C

-30

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

FREQUENCY (GHz)

LNA - Output IP3 vs.

Temperature, Output Power @ 0 dBm

LNA - Noise Figure vs. Temperature ^[3]

+85C

Vdd=5V

1.8

+25C

1.6

1.4

1.2

0.8

Vdd=3V

+25C

+85C

-40C

Vdd=5V

Vdd=3V

-40C

0.6

0.4

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

FREQUENCY (GHz)

[1] Vdd = 5V [2] Vdd = 3V [3] Measurement reference plane shown on evaluation PCB drawing.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

5 - 285

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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