Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HMC336MS8GE

HMC336MS8GE

更新时间： 2024-01-02 13:07:07

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	165K
描述
GaAs MMIC SPDT NON-REFLECTIVE POSITIVE CONTROL SWITCH, DC* - 6 GHz

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC336MS8GE 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SOP-8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
其他特性：	HIGH ISOLATION	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	27.99 dBm
最大插入损耗：	2 dB	最大工作频率：	6000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	SPDT
Base Number Matches：	1

HMC336MS8GE 数据手册

HMC336MS8G / 336MS8GE

v03.0607

GaAs MMIC SPDT NON-REFLECTIVE

POSITIVE CONTROL SWITCH, DC* - 6 GHz

Absolute Maximum Ratings

Bias Voltage & Current

Bias Voltage Range (Vdd)

+7.0 Vdc

Vdd

(Vdc)

Idd (Typ.)

(μA)

Idd (Max.)

(μA)

Control Voltage Range

(A & B)

-0.5V to Vdd +1.0 Vdc

+5.0

100

Storage Temperature

Operating Temperature

Maximum Input Power

ESD Sensitivity (HBM)

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

+28 dBm

Control Voltages

State

Bias Condition

Class 1A

Low

0 to 0.2 Vdc @ 35 μA Typical

+5 Vdc @ 10 μA Typical

Note:

High

DC blocking capacitors are required at ports RFC and

RF1, 2. Their value will determine the lowest transmission

frequency.

Truth Table

Control Input

Signal Path State

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

RFCOM to:

RF1

Low

High

Low

High

RF2

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

10 - 186

1 234 5 6

下载PDF

与HMC336MS8GE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC336MS8GETR	HITTITE	SPDT, 0MHz Min, 6000MHz Max, 2dB Insertion Loss-Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, MSOP-8	获取价格
HMC336MS8GTR	HITTITE	SPDT,	获取价格
HMC337	HITTITE	GaAs MMIC SUB-HARMONICALLY PUMPED MIXER, 17 - 25 GHz	获取价格
HMC337	ADI	HMC337	获取价格
HMC337_07	HITTITE	GaAs MMIC SUB-HARMONICALLY PUMPED MIXER, 17 - 25 GHz	获取价格
HMC337_09	HITTITE	GaAs MMIC SUB-HARMONICALLY PUMPED MIXER, 17 - 25 GHz	获取价格