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HMC282

更新时间： 2024-01-07 02:52:30

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描述
GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER 36 - 40 GHz

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HMC282 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE OR CHIP	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	21 dB
最大输入功率 (CW)：	13 dBm	JESD-609代码：	e4
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	36000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	3.5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	140 mA	技术：	GAAS
端子面层：	Gold (Au)	Base Number Matches：	1

HMC282 数据手册

HMC282

MICROWAVE CORPORATION

HMC282 LOW NOISE AMPLIFIER 36 - 40 GHz

V01.0700

FEBRUARY 2001

Absolute Maximum Ratings

Schematic

Vdd

Supply Voltage (Vdd)

Supply Current (Idd)

+4 Vdc

200 mA

-2 to +0.4V

4 MA

Gate Bias Voltage (Vgg)

DC Gate Current (mA)

Input Power (RFin)(Vdd=+3V)

Channel Temperature (Tc)

Thermal Resistance ( jc)

(Channel Backside)

RF IN

RF OUT

+13 dBm

175 °C

90 °C/W

Vg1, 2

Vg3, 4

Storage Temperature

-65 to +150 °C

-55 to +85 °C

Backside is Ground

Operating Temperature

Outline

ALLDIMENSIONINMILLIMETERS(INCHES)

ALLTOLERANCESARE±0.025(0.001)

DIETHICKNESSIS0.100(0.004)BACKSIDEISGROUND

BONDPADSARE0.100(0.004)SQUARE

BACKSIDEMETALLIZATION:GOLD

BONDPADMETALLIZATION:GOLD

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343

Fax: 978-250-3373

Web Site: www.hittite.com

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