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HMC232LP4E PDF预览

HMC232LP4E

更新时间： 2024-02-21 17:14:21
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亚德诺 - ADI 射频微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 352K
描述
HMC232LP4E

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HMC232LP4E 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：LCC24,.16SQ,20
针数：24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.13Is Samacsys：N
1dB压缩点：27 dBm特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：30 dBm
最大插入损耗：3.1 dB最小隔离度：37 dB
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：24
准时：0.006 µs最大工作频率：12000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：LCC24,.16SQ,20射频/微波设备类型：SPDT
子类别：RF/Microwave Switches表面贴装：YES
技术：GAAS端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HMC232LP4E 数据手册

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HMC232LP4 / 232LP4E  
v04.0110  
GaAs MMIC SPDT NON-REFLECTIVE  
SWITCH, DC - 12 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC232LP4(E) is ideal for:  
• Telecom Infrastructure  
Isolation: 60 dB @ 3 GHz  
52 dB @ 6 GHz  
Input P1dB: +27 dBm  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military Radios, Radar & ECM  
• Test Instrumentation  
Insertion Loss: 1.5 dB Typical @ 6 GHz  
Non-Reflective Design  
24 Lead 4x4mm QFN Package: 16mmꢀ  
Included in the HMC-DK005 Designer’s Kit  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC232LP4(E) is a broadband high isolation  
non-reflective GaAs MESFET SPDT switch in a low  
cost leadless QFN surface mount plastic package.  
Covering DC to 12 GHz, the switch features >60  
dB isolation up to 3 GHz and >42 dB isolation up to  
12 GHz. Input P1dB compression is +27 dBm typ-  
ical, while input IP3 is +50 dBm. The switch operates  
using complementary negative control voltage logic  
lines of -5/0V and requires no bias supply.  
11  
Electrical Specifications, TA = +25° C, With 0/-5V Control, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 3.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 9.0 GHz  
DC - 12.0 GHz  
1.4  
1.5  
2.0  
2.7  
1.7  
1.8  
2.3  
3.1  
dB  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
DC - 3.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 9.0 GHz  
DC - 12.0 GHz  
55  
47  
40  
37  
60  
52  
45  
42  
dB  
dB  
dB  
dB  
Isolation  
DC - 6.0 GHz  
DC - 9.0 GHz  
DC - 12.0 GHz  
18  
16  
11  
dB  
dB  
dB  
Return Loss  
“On State”  
“Off State”  
Return Loss RF1, RF2  
DC - 12.0 GHz  
0.5 - 12.0 GHz  
14  
27  
dB  
Input Power for 1 dB Compression  
Input Third Order Intercept  
24  
45  
dBm  
0.5 - 12.0 GHz  
DC - 12.0 GHz  
50  
dBm  
(Two-Tone Input Power= +7 dBm Each Tone, 1 MHz Tone Separation)  
Switching Characteristics  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
3
6
ns  
ns  
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no  
For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,  
responsibility is assumed byAnalogDevices foritsuse, nor for anyinfringementsofpatentsor other
One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106  
rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No  
Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com  
Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D  
license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices.  
Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.  
11 - 54  
123456

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HMC232LP4E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC232LP4TR ADI

完全替代

 HMC232LP4TR
HMC232ALP4E ADI

完全替代

 HMC232ALP4E

与HMC232LP4E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HMC232LP4ETR HITTITE

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 		SPDT, 0MHz Min, 12000MHz Max, 1 Func, 3.1dB Insertion Loss-Max, GAAS, 4 X 4 MM, ROHS COMPL
HMC232LP4ETR ADI

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 		HMC232LP4ETR
HMC232LP4TR HITTITE

获取价格

 		暂无描述
HMC232LP4TR ADI

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 		HMC232LP4TR
HMC233G8 HITTITE

获取价格

 		GaAs MMIC HIGH ISOLATION SMT SPDT SWITCH, DC - 6.0 GHz
HMC233G8_06 HITTITE

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 		GaAs MMIC HIGH ISOLATION SMT SPDT SWITCH, DC - 6.0 GHz
HMC233G8_08 HITTITE

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 		GaAs MMIC HIGH ISOLATION SMT SPDT SWITCH, DC - 6 GHz
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 		GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz
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 		GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz
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 		GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8 GHz

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