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HMC223MS8

更新时间： 2024-01-08 13:45:55

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波开关射频开关微波开关
页数	文件大小	规格书
4页	56K
描述
GaAS MMIC MSOP8 T/R SWITCH 4.5 - 6 GHz

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技术参数
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HMC223MS8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
JESD-609代码：	e0	射频/微波设备类型：	TRANSFER SWITCH
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

HMC223MS8 数据手册

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'99

new!

HMC223MS8

MICROWAVE CORPORATION

HMC223MS8 MSOP8T/R SWITCH 4.5 - 6 GHz

FEBRUARY 2001

V01.0300

Typical Application Circuit

RF2

RF1

GND

GND

A

B

Vdd

+V

+V

R2

R1

R3

CTL

CMOS

CMOS

RF

Notes:

7

1. Control inputs A and B can be driven directly with CMOS logic (HC) with V of 3 to 8 Volts applied to the CMOS logic gates and

to pin 4 of the RF switch.

2. Set V to 5 Volts and use HCT series logic to provide a TTL driver interface.

3. Highest RF signal power capability is achieved with V set to +10V. However, the switch will operate properly (but at lower RF

power capability) at bias voltages down to +3V.

4. RF ByPass: Do not use RF bypass capacitors on Vdd, A or B ports. Resistors R1, R2, R3 = 100 Ohms should be placed

close to the Vdd, A and B ports. Use resistor size 0402 to minimize parasitic inductances and capacitances.

5. DC Blocking capacitors are not required for each RF port.

6. Evaluation PCB available.

See Page 8 - 4 for Layout Guidelines Application Note.

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343

Fax: 978-250-3373

Web Site: www.hittite.com

7 - 91

1 2 34

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC223MS8_00	HITTITE	GaAs MMIC T/R SWITCH 4.5 - 6.0 GHz	获取价格
HMC223MS8TR	HITTITE	Transfer Switch	获取价格
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HMC224MS8_06	HITTITE	GaAs MMIC T/R SWITCH 5.0 - 6.0 GHz	获取价格
HMC224MS8_10	HITTITE	GaAs MMIC T/R SWITCH 5 - 6 GHz	获取价格
HMC224MS8RTR	HITTITE	Transfer Switch	获取价格

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