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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波混频器> HMC219MS8TR

HMC219MS8TR PDF预览

HMC219MS8TR

更新时间： 2024-01-21 21:44:50

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频混频器微波混频器局域网
页数	文件大小	规格书
6页	178K
描述
Double Balanced Mixer, GAAS

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技术参数
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HMC219MS8TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP8,.19	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.07	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP8,.19	射频/微波设备类型：	DOUBLE BALANCED
子类别：	RF/Microwave Mixers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

HMC219MS8TR 数据手册

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v01.0801

HMC219MS8

GaAs MMIC SMT DOUBLE-

MICROWAVE CORPORATION

BALANCED MIXER, 4.5 - 9 GHz

Absolute Maximum Ratings

RF / IF Input

+13 dBm

LO Drive

+27 dBm

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

12

Outline Drawing

NOTES:

1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED

PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.

2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY

3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER

4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].

5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.

6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.

7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

12 - 69

1 2 345 6

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与HMC219MS8TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC220AMS8	HITTITE	GaAs MMIC SMT DOUBLEBALANCED MIXER, 5 - 12 GHz	获取价格
HMC220AMS8	ADI	DBL-BAL Mixer SMT, 5 - 12 GHz	获取价格
HMC220AMS8E	HITTITE	Double Balanced Mixer, 5000MHz Min, 12000MHz Max, 10.5dB Conversion Loss-Max, GAAS, ROHS C	获取价格
HMC220AMS8TR	ADI	DBL-BAL Mixer SMT, 5 - 12 GHz	获取价格
HMC220B	ADI	5 GHz to 12 GHz GaAs, MMIC, Fundamental Mixer	获取价格
HMC220BMS8GE	ADI	5 GHz to 12 GHz GaAs, MMIC, Fundamental Mixer	获取价格

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