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HM628512LTT-7SL

更新时间： 2024-09-23 20:25:27

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	89K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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HM628512LTT-7SL 数据手册

HM628512 Series

DC Characteristics (Ta = 0 to +70°C, V_CC= 5 V ±10% , V_SS= 0 V)

Parameter

Symbol Min Typ^*1Max Unit Test Conditions

Input leakage current

Output leakage current

|I_LI|

—

µA

Vin = V_SSto V_CC

|I_LO|

CS = V_IHor OE = V_IHor

WE = V_IL, V_I/O= V_SSto V_CC

Operating power supply current: DC

I_{CC READ}

I_{CC WRITE}

—

CS = V_IL, WE = V_IH

others = V_IH/V_IL, I_I/O= 0 mA

CS = V_IL, WE = V_IL

others = V_IH/V_IL, I_I/O= 0 mA

Operating power supply current

-5/7A I_CC1

-7 I_CC1

—

100

Min cycle, duty = 100%

CS = V_IL, others = V_IH/V_IL

I_I/O= 0 mA

I_CC2

—

Cycle time = 1 µs,

duty = 100%

I_I/O= 0 mA, CS ≤ 0.2 V

V_IH≥ V_CC– 0.2 V, V_IL≤ 0.2

Standby power supply current: DC

Standby power supply current (1): DC

I_SB

—

2.4

CS = V_IH

I_SB1

0.02

Vin ≥ 0 V, CS ≥ V_CC– 0.2 V

100^*2µA

50^*3

0.4

—

µA

Output low voltage

Output high voltage

V_OL

V_OH

—

I_OL= 2.1 mA

I_OH= –1.0 mA

Notes: 1. Typical values are at V_CC= 5.0 V, Ta = +25°C and specified loading, and not guaranteed.

2. This characteristics is guaranteed only for L version.

3. This characteristics is guaranteed only for L-SL version.

Capacitance (Ta = 25°C, f = 1 MHz)

Parameter

Symbol

Cin

Typ

—

Max

Unit

Test Conditions

Vin = 0 V

Input capacitance^*1

Input/output capacitance^*1

C_I/O

—

V_I/O= 0 V

Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.

1...3 4 567 8 9...15

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HM628512LTT-7SL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY62148BNLL-70ZXI	CYPRESS	功能相似	4-Mbit (512K x 8) Static RAM
KM684000BLT-7L	SAMSUNG	功能相似	512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
HM628512ALTT-7SL	HITACHI	功能相似	4M SRAM (512 KWORD X 8 BIT)

与HM628512LTT-7SL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM628512LTT-8	HITACHI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HM628512LTT-8SL	HITACHI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HM628512P-10	HITACHI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HM628512P-5	HITACHI-METALS	获取价格	524288-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628512P-5	HITACHI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HM628512P-7	HITACHI-METALS	获取价格	524288-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628512P-7	HITACHI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HM628512P-8	HITACHI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HM62864	ETC	获取价格	65536-word ⅴ 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM62864LFP-5SL	ETC	获取价格	x8 SRAM

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