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HM628128LFPI-10

更新时间: 2024-02-18 14:08:19
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 535K
描述
x8 SRAM

HM628128LFPI-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP32,.56
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.81最长访问时间:100 ns
其他特性:BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.45 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.05 mm最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

HM628128LFPI-10 数据手册

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