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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP OPERATION |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 41.9 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM628128LPI-12 | ETC |
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x8 SRAM |
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| HM628128LPI-8 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128LR-10 | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128LR-10L | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128LR-10SL | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128LR-12 | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128LR-12 | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HM628128LR-12L | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128LR-12L | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 STANDARD SRAM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, REVERSE, TSOP-32 |
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| HM628128LR-12SL | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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