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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.66 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 41.9 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM628128BLPI-8 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128BLR-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128BLR-10SL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM628128BLR-12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128BLR-12SL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128BLR-7 | HITACHI |
获取价格 |
1 M SRAM (128-KWORD X 8 BIT) |
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| HM628128BLR-7SL | HITACHI |
获取价格 |
1 M SRAM (128-KWORD X 8 BIT) |
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| HM628128BLR-8 | HITACHI |
获取价格 |
1 M SRAM (128-KWORD X 8 BIT) |
|
| HM628128BLR-8SL | HITACHI |
获取价格 |
1 M SRAM (128-KWORD X 8 BIT) |
|
| HM628128BLT-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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