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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.44 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 50 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.125 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM5164805AJ-5R | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| HM5164805AJ-6 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164805AJ-7 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
|
| HM5164805ALJ-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164805ALJ-6 | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| HM5164805ALJ-7 | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| HM5164805ALTT-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164805ALTT-6 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164805ALTT-7 | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
|
| HM5164805ATT-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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