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HM5164405FLTT-5

更新时间： 2024-02-22 17:35:41

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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34页	219K
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64 M EDO DRAM (16-Mword × 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh

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HM5164405FLTT-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5164405FLTT-5 数据手册

HM5164405F Series

HM5165405F Series

64 M EDO DRAM (16-Mword × 4-bit)

8 k Refresh/4 k Refresh

E0097H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1056C (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5164405F Series, HM5165405F Series are 64M-bit dynamic RAMs organized as 16,777,216-word

× 4-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5164405F Series, HM5165405F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have the package variation of standard 32-pin plastic SOJ and standard 32-pin plastic

TSOPII.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

Access time: 50 ns/60 ns (max)

Power dissipation

Active: 396 mW/360 mW (max) (HM5164405F Series)

: 468 mW/396 mW (max) (HM5165405F Series)

Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

Refresh cycles

RAS-only refresh

8192 cycles/64 ms (HM5164405F, HM5164405FL)

4096 cycles/64 ms (HM5165405F, HM5165405FL)

CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms (HM5164405F, HM5164405FL, HM5165405F, HM5165405FL)

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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