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HM1-65687S-2

更新时间: 2024-02-19 00:08:03
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 444K
描述
x1 SRAM

HM1-65687S-2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
最长访问时间:45 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:22
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM1-65687S-2 数据手册

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