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HM0-65664-5+

更新时间: 2024-01-14 07:52:03
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 477K
描述
x8 SRAM

HM0-65664-5+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装等效代码:DIE OR CHIP并行/串行:PARALLEL
电源:5 V最大待机电流:0.000001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
Base Number Matches:1

HM0-65664-5+ 数据手册

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