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HM0-65664B-5+

更新时间: 2024-02-02 06:31:51
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 477K
描述
x8 SRAM

HM0-65664B-5+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMON内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V技术:CMOS
温度等级:COMMERCIALBase Number Matches:1

HM0-65664B-5+ 数据手册

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