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HL8343MG PDF预览

HL8343MG

更新时间： 2024-01-14 09:57:35

品牌	Logo	应用领域
OPNEXT		光电二极管激光二极管
页数	文件大小	规格书
4页	93K
描述
GaAlAs Laser Diode

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HL8343MG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks 6 days	风险等级：	5.59
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	功能数量：	1
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	标称输出功率：	50 mW
峰值波长：	852 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.6 mm	最大阈值电流：	40 mA
Base Number Matches：	1

HL8343MG 数据手册

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HL8340MG

Package Dimensions

As of July, 2002

Unit: mm

+0

φ

5.6 _–0.025

1.0 ± 0.1

(0.4)

φ

1.6 ± 0.2

φ

φ

4.1 ± 0.3

3.55 ± 0.1

Emitting Point

φ

3 – 0.45 ± 0.1

1

2

3

1

3

2

φ

2.0 ± 0.2

OPJ Code

JEDEC

LD/MG

—

JEITA

—

Mass (reference value)

0.3 g

Rev.1 May 24, 2007 page 3 of 4

1 234

下载PDF

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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