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HL8343MG

更新时间： 2024-02-11 14:32:24

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OPNEXT		光电二极管激光二极管
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4页	93K
描述
GaAlAs Laser Diode

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HL8343MG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks 6 days	风险等级：	5.59
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	功能数量：	1
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	标称输出功率：	50 mW
峰值波长：	852 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.6 mm	最大阈值电流：	40 mA
Base Number Matches：	1

HL8343MG 数据手册

HL8340MG

Typical Characteristic Curves

Threshold Current vs. Case Temperature

100

Opticai Output Power vs. Forward Current

25°C

T_C= 0°C

60°C

10 20 30

100

Forward current, I_F(mA)

Case temperature, T_C(°C)

Slope Efficiency vs. Case Temperature

Monitor Current vs. Case Temperature

P_O= 50mW

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

_R(PD)= 5V

Case temperature, T_C(°C)

50 60

20 30

10 20

Case temperature, T_C(°C)

Far Feild Pattern

Lasing Wavelength vs. Case Temperature

865

P_O= 50mW

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

P_O= 50mW

T_C= 25°C

Perpendicular

860

855

850

845

Parallel

840

835

–40 –30 –20 –10

10 20 30 40

Angle, θ ( ° )

Case temperature, T_C(°C)

Rev.1 May 24, 2007 page 2 of 4

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