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HL8342MG

更新时间: 2024-01-17 04:34:07
品牌 Logo 应用领域
OPNEXT 半导体光电二极管激光二极管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
GaAlAs Laser Diode

HL8342MG 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.02配置:SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
功能数量:1最高工作温度:60 °C
最低工作温度:-10 °C光电设备类型:LASER DIODE
标称输出功率:50 mW峰值波长:852 nm
形状:ROUND尺寸:1.6 mm
最大阈值电流:40 mABase Number Matches:1

HL8342MG 数据手册

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HL8340MG  
Package Dimensions  
As of July, 2002  
Unit: mm  
+0  
φ
5.6 –0.025  
1.0 ± 0.1  
(0.4)  
φ
1.6 ± 0.2  
φ
φ
4.1 ± 0.3  
3.55 ± 0.1  
Emitting Point  
φ
3 – 0.45 ± 0.1  
1
2
3
1
3
2
φ
2.0 ± 0.2  
OPJ Code  
JEDEC  
LD/MG  
JEITA  
Mass (reference value)  
0.3 g  
Rev.1 May 24, 2007 page 3 of 4  

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